“三星电子代表昨日于韩国“AI-PIM 钻研会”上暗示，正按规划慢慢推进 eMRAM 内存的制程进级，今朝 8nm eMRAM 的技能开发已经基本完成。 三星电子代表昨日于韩国“AI-PIM 钻研会”上暗示，正按规划慢慢推进 eMRAM 内存的制程进级，今朝 8nm eMRAM 的技能开发已经基本完成。作为一种新型内存，MRAM 基在磁性道理，具备非易掉性，不需要同 DRAM 内存同样不停刷新数据，更为节能高效；同时MRAM 的写入速率又是 NAND 的 1000 倍，撑持对于写入速度要求更高的运用。 eMRAM 即面向嵌入式范畴的 MRAM。三星电子今朝具备 28nm eMRAM 的出产能力，已经于向智能腕表等终端产物供货。按照IT之家2023 年的报导，三星电子其时暗示规划于 2024 年量产 14nm eMRAM；2026 年量产 8nm 的 eMRAM；到 2027 年将更进一步，实现 5nm 制程 eMRAM 量产。今朝三星电子已经完成 14nm eMRAM 的开发，8nm eMRAM 开发也基本完成，仍规划 2027 年推出 5nm eMRAM。三星电子认为将来车用范畴对于 eMRAM 的需求将连续增加，其产物今朝耐温能力已经达 150~160℃，足以满意汽车行业对于半导体的严苛要求。
▲eMRAM 存储道理
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